深硅刻蚀技术（deep silicon etch）是制备微机电系统（MEMS）中深槽结构和三维封装中硅通孔（TSV）结构的关键技术，当前主要由深等离子刻蚀（DRIE，“Bosch”工艺）完成。本报告将报道一种新型湿法刻蚀技术-UMaCE，具有低成本、操作简单、可常温常压下实现多晶圆同时刻蚀的优势。本报告将从UMaCE基本原理入手，讨论主要的实验方法和控制参数，并展示UMaCE的最新加工能力，包括宽度2微米、深宽比超过100：1、侧壁粗糙度小于50纳米的MEMS深槽结构和器件，以及可用于大规模生产的高均一度晶圆级TSV阵列；还将展示UMaCE可控侧壁倾斜角和刻蚀方向的独特三维高深宽比微纳加工能力。

一、会议主题：中国微米纳米技术学会会员活动月第四期——高深宽比高均一度深硅刻蚀技术

二、会议时间：2022年5月12日下午15:00-16:00

三、会议嘉宾：李力一

       嘉宾职务职称：东南大学 研究员

       嘉宾简介：北京大学化学专业取得学士学位，美国佐治亚理工学院材料科学与工程专业取得博士学位，师从美国工程院院士C.P. Wong教授，发明超高深宽比高均一度硅深刻蚀技术，发表SCI论文44篇，授权美国专利1篇，IEEE ECTC会议论文10余篇。在美国Intel公司TMG Lab工作五年，担任材料分析和失效分析高级工程师，开展了薄膜力学、失效分析和分子结构分析等研究，负责三维封装项目Foveros研发并推动成功量产。获得国家高层次人才青年学者，东南大学青年首席教授。

四、主持人：段永青

       主持人简介：段永青，华中科技大学机械学院副教授，中国科协第七届青年人才托举工程入选者。主要从事柔性电子制造、印刷显示、电流体喷印工艺与装备相关的研究工作。主持国基金面上项目、青年项目、国家重点研发计划子课题等多项国家级项目，在Advanced Functional Materials、Nano Energy、Nanoscale等期刊发表SCI论文三十余篇，出版英文著作一部，申请/授权国家发明专利二十余项，获湖北省自然科学一等奖、瑞士日内瓦国际发明金奖等奖项。

观看直播时间：2022年5月12日下午15:00-16:00

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